SRAM 2Mb EMMC Chip bộ nhớ 256Kx8 10ns Không đồng bộ SRAM 3.3V

Mô tả sản phẩm

IS61LV2568L-10T SMD / SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Không đồng bộ SRAM 3.3v

TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM

• Thời gian truy cập tốc độ cao: 8, 10 ns

• Dòng hoạt động: 50mA (điển hình)

• Dòng điện chờ: 700µA (điển hình)

• Nhiều chân nối đất và nguồn trung tâm để có khả năng chống ồn tốt hơn

• Mở rộng bộ nhớ dễ dàng với các tùy chọn CE và OE

• CE ngắt nguồn

• Đầu vào và đầu ra tương thích TTL

• Nguồn điện 3.3V đơn

• Các gói có sẵn: - 36-pin 400 triệu SOJ - 44-pin TSOP (Loại II)

• Có sẵn không chì

SỰ MIÊU TẢ

ISSI IS61LV2568L là RAM tĩnh CMOS 8 bit, tốc độ rất cao, công suất thấp, 262.144 từ.IS61LV2568L được chế tạo bằng công nghệ CMOS hiệu suất cao của ISSI.

Quy trình có độ tin cậy cao này cùng với các kỹ thuật thiết kế mạch tiên tiến, mang lại hiệu suất cao hơn và các thiết bị tiêu thụ điện năng thấp.Khi CE ở mức CAO (bỏ chọn), thiết bị sẽ giả định ở chế độ chờ, tại đó mức tiêu tán công suất có thể giảm xuống 36mW (tối đa) với các mức đầu vào CMOS.

IS61LV2568L hoạt động từ một nguồn điện 3.3V duy nhất và tất cả các đầu vào đều tương thích với TTL.IS61LV2568L có sẵn trong các gói SOJ 400 triệu 36 chân và TSOP 44 chân (Loại II).