|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
|
| Nguồn gốc: | NGUYÊN BẢN |
|---|---|
| Hàng hiệu: | original |
| Chứng nhận: | ISO9001:2015standard |
| Số mô hình: | BQ2201SN |
|
Thanh toán:
|
|
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 10 chiếc |
| Giá bán: | 1.1-1.5USD/PCS |
| chi tiết đóng gói: | Tiêu chuẩn |
| Thời gian giao hàng: | 2-3 ngày làm việc |
| Điều khoản thanh toán: | L / C, Western Union, palpay |
| Khả năng cung cấp: | 1000PCS / tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Tên sản phẩm: | BQ2201SN | danh mục sản phẩm: | Bộ điều khiển bộ nhớ |
|---|---|---|---|
| Loại bộ nhớ: | SRAM không bay hơi | phong cách gắn kết: | SMD / SMT |
| Gói / Trường hợp: | SOIC-8 | Bao bì: | Ống |
| Điểm nổi bật: | IC BQ2201SN Bộ điều khiển bộ nhớ,Bộ điều khiển bộ nhớ IC SOIC-8,BQ2201SN 1 kênh |
||
Mô tả sản phẩm
IC nhớ BQ2201SN Bộ điều khiển bộ nhớ SMD / SMT SOIC-8 1 kênh
Đặc trưng
1. giám sát và chuyển đổi nguồn điện
cho pin 3 volt-ứng dụng dự phòng-
hàng tấn
2. kiểm soát bảo vệ viết
Đầu vào ô chính 3,3 volt
4. kích hoạt chip ít hơn 10ns
sự chậm trễ truyền bá
Hoạt động cung cấp 5,5% hoặc 10%
| Bộ điều khiển bộ nhớ | |
| RoHS: | Thông tin chi tiết |
| SRAM không bay hơi | |
| Đúng | |
| 5,5 V | |
| 4,5 V | |
| 3 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| SMD / SMT | |
| SOIC-8 | |
| Ống | |
| Mô tả / Chức năng: | Cung cấp tất cả các chức năng cần thiết để chuyển đổi CMOS SRAM tiêu chuẩn thành bộ nhớ đọc / ghi không linh hoạt |
| Màn hình pin Lithium: | Đúng |
| Số kênh bộ nhớ: | 1 |
| Điện áp cung cấp hoạt động: | 5 V |
| Nhiệt độ hoạt động: | - 40 C đến + 85 C |
| Loại sản phẩm: | Bộ điều khiển bộ nhớ |
| Hàng loạt: | Thông tin chi tiết |
| Số lượng gói nhà máy: | 75 |
| Danh mục con: | Bộ nhớ & Lưu trữ dữ liệu |
| Gõ phím: | SRAM không bay hơi (NVSRAM) |
| Đơn vị Trọng lượng: | 0,002677 oz |
Nhập tin nhắn của bạn
| Walton Electronics Co., Ltd. |
| 5C, Tòa nhà D, GALAXY WORLD, Quận Long Hoa, Thâm Quyến.CN |
| 86-0755-8835-8585 |
| Walton-cara@walton-ic.com |
