Chip nhớ flash IS21ES08G-JCLI 8gb Nand 3.3V 200Mhz

Mô tả sản phẩm

IS21ES08G-JCLI eMMC 8GB 3.3V 200Mhz eMMC NAND Flash Bộ nhớ lưu trữ dữ liệu

TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM

• Bộ nhớ flash NAND đóng gói với giao diện eMMC 5.0

• IS21 / 22ES08G: 8Gigabyte

• Tuân thủ Đặc điểm kỹ thuật eMMC Phiên bản.4.4, 4.41,4.5,5.0

• Chế độ xe buýt

- Giao thức eMMC tốc độ cao

- Tần số xung nhịp: 0-200MHz.

- Bus mười dây (đồng hồ, lệnh 1 bit, bus dữ liệu 8 bit) và thiết lập lại phần cứng.

• Hỗ trợ ba độ rộng bus dữ liệu khác nhau: 1 bit (mặc định), 4 bit, 8 bit

- Tốc độ truyền dữ liệu: lên đến 52Mbyte / s (sử dụng 8 đường dữ liệu song song ở 52 MHz)

- Tốc độ dữ liệu đơn: lên đến 200Mbyte / s @ 200MHz (HS200)

- Tốc độ dữ liệu kép: lên đến 400Mbyte / s @ 200MHz (HS400)

• Phạm vi điện áp hoạt động :

- VCCQ = 1,8 V / 3,3 V - VCC = 3,3 V

• Hỗ trợ Chế độ nâng cao trong đó thiết bị có thể được định cấu hình dưới dạng giả SLC (pSLC) để có hiệu suất đọc / ghi cao hơn, độ bền và độ tin cậy cao hơn.

• Lỗi truy cập bộ nhớ trống

- Mã sửa lỗi nội bộ (ECC) để bảo vệ giao tiếp dữ liệu

- Thuật toán quản lý dữ liệu nâng cao nội bộ - Bảo vệ vững chắc khỏi sự cố mất điện đột ngột, hoạt động cập nhật an toàn cho nội dung dữ liệu

• Bảo mật - Hỗ trợ các lệnh xóa và cắt khối xấu an toàn

- Bảo vệ ghi nâng cao với các tùy chọn bảo vệ vĩnh viễn và từng phần

• Cập nhật chương trình cơ sở hiện trường (FFU)

• Phân vùng khởi động và phân vùng RPMB

• Nâng cao thời gian sử dụng thiết bị

• Thông tin trước EOL

• Nhận thức về trạng thái sản xuất • Thông báo tắt nguồn khi ngủ

• Phạm vi nhiệt độ

- Hạng công nghiệp: -40 ℃ ~ 85 ℃

- Hạng ô tô (A1): -40 ℃ ~ 85 ℃

- Hạng ô tô (A2): -40 ℃ ~ 105 ℃

• Chất lượng - Tuân thủ RoHS (để biết tuyên bố RoHS chi tiết, vui lòng liên hệ với đại diện của bạn.)

• Gói - 153 FBGA (11,5mm x 13mm x 1,0mm) - 100 FBGA (14,0mm x 18,0mm x 1,4mm)