25AA02E48T-I OT Bộ nhớ chỉ đọc có thể xóa bằng điện có thể lập trình

Mô tả sản phẩm

25AA02E48T-I / OT Bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình có thể xóa bằng điện Bộ nhớ BAV20-TAP MFRC50001T / 0FE Bộ nhớ lưu trữ dữ liệu

Đặc trưng

• Địa chỉ nút duy nhất trên toàn cầu, 48 bit hoặc 64 bit được lập trình trước

• Tương thích với EUI-48 ™ và EUI-64 ™

• Tần số đồng hồ tối đa 10 MHz

• Công nghệ CMOS công suất thấp: - Dòng điện ghi tối đa: 5 mA ở 5.5V - Dòng điện đọc: 5 mA ở 5.5V, 10 MHz - Dòng điện chờ: 1 µA ở 2.5V

• Tổ chức 256 x 8-bit

• Chế độ Viết trang (lên đến 16 byte)

• Đọc tuần tự

• Chu kỳ xóa và ghi tự hẹn giờ (tối đa 5 mili giây)

• Block Write Protection: - Không bảo vệ, 1/4, 1/2 hoặc tất cả mảng

• Bảo vệ ghi tích hợp: - Mạch bảo vệ dữ liệu bật / tắt nguồn - Chốt cho phép ghi - Chốt chống ghi

• Độ tin cậy cao: - Độ bền: 1.000.000 chu kỳ xóa / ghi - Lưu giữ dữ liệu:> 200 năm - Bảo vệ ESD:> 4000V

• Phạm vi nhiệt độ được hỗ trợ:

- Công nghiệp (I): -40 ℃ đến +85 ℃

• Không có Pb và Tuân thủ RoHS

Sự mô tả

Công nghệ vi mạch 25AA02E48 / 25AA02E64 (25AA02EXX) là Bộ nhớ chỉ đọc lập trình có thể xóa bằng điện nối tiếp 2 Kbit (EEPROM).Bộ nhớ được truy cập thông qua một bus nối tiếp tương thích với Giao diện Ngoại vi Nối tiếp (SPI) đơn giản.Các tín hiệu bus được yêu cầu là đầu vào đồng hồ (SCK) cộng với dữ liệu riêng biệt trong đường (SI) và đường ra dữ liệu (SO).Quyền truy cập vào thiết bị được kiểm soát thông qua đầu vào Chọn chip (CS).